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淺談借助靜電測(cè)試提高LED品質(zhì)

發(fā)布時(shí)間:2013-07-11 14:34:47點(diǎn)擊數(shù):2151次

隨著LED應(yīng)用環(huán)境的多元復(fù)雜化,LED下游商對(duì)上游晶粒品質(zhì)的要求日趨嚴(yán)苛,如LED耐靜電測(cè)試(Electrostatic Discharge,ESD)的電壓值就從原本4kV要求,逐漸提高到8kV,以容忍戶外的惡劣環(huán)境。所以高壓LED耐靜電測(cè)試為目前LED晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)中,急待開發(fā)的關(guān)鍵模組。

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